Lawinendurchbruch

I-U-Kennlinien von Z-Dioden. Zener- und Lawinendurchbruch im linken unteren Quadranten.

Der Lawinendurchbruch, auch Avalanche-Durchbruch[1] (von englisch avalanche, Lawine) genannt, ist in der Elektronik eine der drei Durchbruchsarten bei Halbleiterbauelementen. Unter einem Durchbruch eines p-n-Übergangs versteht man den steilen Anstieg des Stroms bei einer bestimmten Sperrspannung, wenn die Diode in Sperrrichtung gepolt ist. Auslöser des Lawinendurchbruchs ist der Lawineneffekt[2] (auch Avalanche-Effekt, Lawinenvervielfachung oder Trägermultiplikation genannt). Der Lawineneffekt ist ein umkehrbarer oder reversibler Effekt, sofern die zulässige Gesamtverlustleistung des Bauelementes nicht überschritten wird.

  1. Joachim Specovius: Grundkurs Leistungselektronik - Bauelemente, Schaltungen und Systeme. 9. Auflage. Springer Fachmedien Wiesbaden GmbH, Beuth Hochschule für Technik Berlin Berlin, Deutschland 2018, ISBN 978-3-658-21168-4, S. 15.
  2. Stefan Goßner: Grundlagen der Elektronik - Halbleiter, Bauelemente und Schaltungen. 9. Auflage. Shaker Verlag GmbH, Aachen 2016, ISBN 978-3-8265-8825-9, S. 29 ff.

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