Ein Leistungsbipolartransistor (englisch bipolar power transistor auch englisch power bipolar junction transistor, Power BJT) ist eine spezialisierte Version eines Bipolartransistors, der für das Leiten und Sperren von großen elektrischen Strömen und Spannungen optimiert ist (bis mehrere hundert Ampere und bis ca. 1000 Volt, bei einem Bauteilvolumen von ca. einem Kubikzentimeter). Im Gegensatz zum normalen Bipolartransistor besitzt der Leistungsbipolartransistor eine vertikale Anordnung, damit sich die Ströme gleichmäßig über ein großes Gebiet innerhalb des Halbleiters verteilen.
In der Industrie stellte der Leistungsbipolartransistor – ebenso wie der Leistungs-MOSFET – ein industrielles Standardbauteil zur Beeinflussung des elektrischen Stromes dar. Er wird als Leistungsverstärker und Schalter verwendet und wirkt näherungsweise wie eine stromgesteuerte Stromquelle. Zunehmend wird er durch IGBT (einer Kombination aus bipolarem Transistor und MOSFET) verdrängt.
Ein bekannter Typ, der noch heute hergestellt wird, ist der 2N3055.