Halbleiter mit breitem Bandabstand

UV-LED mit dem Wide-Bandgap-Material InGaN

Halbleiter mit breitem Bandabstand[1] (englisch wide-bandgap semiconductors, davon abgeleitet Wide-Bandgap-Halbleiter, aber breitbandige Halbleiter[2]) sind Halbleiter, deren Bandabstand/Bandlücke (Energieabstand zwischen Valenzband und Leitungsband) am oberen Ende des Bereichs der Halbleiter (3 eV bis über 4 eV) liegt.

  1. Werner Bindmann: German Dictionary of Microelectronics. Psychology Press, 1999, ISBN 0-415-17340-X, S. 478 (eingeschränkte Vorschau in der Google-Buchsuche).
  2. Referenzfehler: Ungültiges <ref>-Tag; kein Text angegeben für Einzelnachweis mit dem Namen Thema Forschung.

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