High-electron-mobility transistor

Der high-electron-mobility transistor (HEMT, dt. „Transistor mit hoher Elektronenbeweglichkeit“) ist eine spezielle Bauform des Feldeffekttransistors für sehr hohe Frequenzen und ist von der Konstruktion her eine spezielle Bauform eines MESFET.

Andere Bezeichnungen für diesen Transistortyp sind modulation-doped field-effect transistor (MODFET), two-dimensional electron-gas field-effect transistor (TEGFET), selectively-doped heterojunction transistor (SDHT) und heterojunction field-effect transistor (HFET).^[1]

Er wurde von Takashi Mimura und Kollegen 1979 bei Fujitsu entwickelt.^[2][3][4]

1. ↑ K. K. Ng: A survey of semiconductor devices. In: IEEE Transactions on Electron Devices. Band 43, Nr. 10, 1996, S. 1760–1766, doi:10.1109/16.536822. 
2. ↑ T. Mimura, S. Hiyamizu, T. Fujii, K. Nanbu: A New Field-Effect Transistor with Selectively Doped GaAs/n-AlxGa1-xAs Heterojunctions, Japanese Journal of Applied Physics, Band 19, 1980, L 225-L227
3. ↑ T. Mimura, Kazukiyo Joshin, Satoshi Hiyamizu, Kohki Hikosaka, Masayuki Abe: High Electron Mobility Transistor Logic, Japanese Journal of Applied Physics, Band 20, 1981, L 598
4. ↑ T. Mimura: Development of High Electron Mobility Transistor, Japanese Journal of Applied Physics, Band 44, 2005, S. 8263