Back عملية تشوخرالسكي Arabic Процес на Чохралски Bulgarian Procés Czochralski Catalan Czochralského metoda Czech Czochralski-Verfahren German Czochralski method English Proceso Czochralski Spanish Czochralski meetod Estonian فرایند چکرالسکی Persian Procédé de Czochralski French
La "Czochralski-a procedo" estas metodo de kristala kreskigo uzita ekhavi unuopajn kristalojn de duonkonduktaĵoj, metaloj (ekz. paladio, plateno, arĝento, kaj oro), kaj saloj.
La plej grava aplikaĵo eble estas la kreskigo de grandaj cilindraj ingotoj de silicio. Altpureca, semikonduktaĵ-grada silicio (kun nur kelkaj partoj el miliono da malpuraĵoj) fandiĝas en krisolo. Dopaĵaj malpuraĵaj atomoj tiel kiel boro aŭ fosforo povas aldoniĝi al fanda esenca silicio laŭ precizaj kvantoj por dopi la silicion, kiu ŝanĝigas ĝin en n-tipan aŭ p-tipan malesencan silicion. Tio ĉi influas la elektran konduktivecon de silicio. Kerna kristalo mergiĝas en fandan silicion. La kerna kristalo tiriĝas supren kaj rotacias samtempe. Per preciza regado de la temperatura gradiento, la tira rapideco, kaj la rotacia (angula) rapideco ebligas eligi grandan, unuop-kristalan, cilindran ingoton de la fandaĵo. Tiu ĉi procedo kutime fariĝas en inerta atmosfero, tia kia argono, kaj en inerta krisolo, tia kia kvarco.
La plej granda silicia ingoto produktita ĝis nun estas 400 mm diametra kaj 1 ĝis 2 m longa. Maldikaj siliciaj tranĉaĵoj tranĉiĝas de tiuj ĉi ingotoj, lapuriĝas** al tre alta plateco, kaj poluriĝas al glata spegula surfaco por integritaj cirkvitoj.
La procedo nomiĝas laŭ Jan Czochralski, kiu malkovris la metodon en 1916 dum esplorado pri la kristaliĝa rapideco de metaloj.