Isoleeritud paisuga bipolaartransistor (inglise keelesinsulated-gate bipolar transistor, IGBT) on jõuelektroonikapooljuhtseadis, mida kasutatakse suurevoolulistes ja suhtelistelt kõrge pingega ahelates kiiretoimeliste lülititena.
Isoleeritud paisuga bipolaartransistori tingmärkeIGBT aseskeemid: vasakul ‒ ühe bipolaartransistoriga; paremal ‒ kahe bipolaartransistoriga, mis on ühendatud Darlingtoni skeemi järgiIGBT moodul pingele kuni 3300 V, voolule kuni 1200 A, firma MitsubishiAvatud kestaga IGBT moodul