Back مقاومة ذاكرية Arabic Мемристор Bulgarian মেমরিস্টর Bengali/Bangla Memristor Catalan Memristor Czech Memristor Danish Memristor German Memristor English Memristor Spanish Memristore Basque
Memristor (inglise keele sõnadest memory resistor ) ehk mälutakisti on kahekontaktiline passiivkomponent, mille elektritakistus sõltub seda varem läbinud elektrivoolu suurusest ja suunast ning mis voolu puudumisel säilitab viimase takistuse. Seega on tegu hüstereesi omava ehk mäluga seadmega.[1]
Seadme olemasolu ennustas esimesena Leon Chua 1971, analüüsides mittelineaarsete vooluringide teooriat ning täheldades lünka fundamentaalsete suuruste pinge, voolu, laengu ja aheldusvoo vahelistes seostes. Ta defineeris memristori kahekontaktilise passiivkomponendina, mis seob omavahel aheldusvoo ja laengu, ning koostas seadme kirjeldamiseks ja omaduste määramiseks vajaliku matemaatilise ja katseaparatuuri.[1]
2011. aastal laiendas Leon Chua definitsiooni kõigile passiivsetele muutuva takistusega püsimäluseadmetele, olenemata nende takistuse muutumise mehhanismist.[2]
See definitsioonilaiendus leidis mõningast kriitikat, kuna leiti, et see on teaduslikult põhjendamata ja et tegu on Hewlett-Packardi püüdega võimalikult paljud tehnoloogiad enda memristore käsitlevate patentide alla saada.[3][4]
Tänapäeva arendustöö käib memristoride massmäluseadmena kasutuskõlblikuks arendamise ning uute kasutusvaldkondade otsimise kallal.[5]
- ↑ 1,0 1,1 Viitamistõrge: Vigane
<ref>-silt. Viide nimegachua71on ilma tekstita. - ↑ Viitamistõrge: Vigane
<ref>-silt. Viide nimegachua11on ilma tekstita. - ↑ Viitamistõrge: Vigane
<ref>-silt. Viide nimegaPaulMarks2012on ilma tekstita. - ↑ Viitamistõrge: Vigane
<ref>-silt. Viide nimegaClarke2012on ilma tekstita. - ↑ Viitamistõrge: Vigane
<ref>-silt. Viide nimegaRSWvidon ilma tekstita.