Nitrure d'aluminium

Nitrure d'aluminium
Image illustrative de l’article Nitrure d'aluminium
Image illustrative de l’article Nitrure d'aluminium
__ Al3+       __ N3-
Structure cristalline wurtzite du nitrure d'aluminium. En haut : poudre d'AlN.
Identification
Nom UICPA azanylidynealumane
Nom systématique nitrure d'aluminium(III)
Synonymes

nitrure d'aluminium

No CAS 24304-00-5
No ECHA 100.041.931
No CE 246-140-8
No RTECS BD1055000
PubChem 90455
SMILES
InChI
Apparence poudre beige inodore[1]
Propriétés chimiques
Formule AlN  [Isomères]
Masse molaire[2] 40,988 2 ± 0,000 2 g/mol
Al 65,83 %, N 34,17 %,
Propriétés physiques
fusion 2 400 °C[1] (décomposition)
Masse volumique 3,26 g/cm3[1]
Propriétés électroniques
Largeur de bande interdite 6,015 eV[3]
Cristallographie
Système cristallin hexagonal[4]
Symbole de Pearson hP4
Classe cristalline ou groupe d’espace P63mc (no 186) [4]
Notation Schönflies C4
6v
Structure type wurtzite[5]
Paramètres de maille a = 311,0 à 311,3 pm, c = 497,8 à 498,2 pm[6]
Précautions
SGH[1]
SGH08 : Sensibilisant, mutagène, cancérogène, reprotoxiqueSGH09 : Danger pour le milieu aquatique
Attention
H373 et H410
Composés apparentés
Autres cations Nitrure de bore
Nitrure de gallium
Nitrure d'indium
Autres anions Phosphure d'aluminium
Arséniure d'aluminium
Antimoniure d'aluminium

Unités du SI et CNTP, sauf indication contraire.

Le nitrure d'aluminium est un semiconducteur III-V à gap direct de 6,015 eV[3] à 300 K. De formule chimique AlN, il s'agit d'une céramique réfractaire dont la conductivité thermique peut atteindre 321 W/m/K[7]. Il présente ainsi la particularité d'être à la fois isolant électrique et conducteur thermique, avec des conductivités mesurées de 25 à 319 W/m/K selon la structure du matériau, telle que monocristal[8], couche mince[9] ou nanofil[10]. Il est également résistant à l'oxydation et à l'abrasion, et présente des propriétés piézoélectriques intéressantes, avec un coefficient d33 compris entre 3,4[11] et 5,0[12] pm/V et un coefficient de couplage électromécanique voisin de 7 %[13].

La structure cristalline du nitrure d'aluminium est de type wurtzite, dans le système hexagonal selon le groupe d'espace P63mc (no 186) avec pour paramètres a = 311,17 pm et c = 497,88 pm. Elle peut également être de type blende, dans le système cubique selon le groupe d'espace F43m (no 216). Le coefficient de dilatation du polymorphe wurzite calculé le long de ses axes cristallographiques vaut 4,2 × 10−6 K−1 le long de l'axe a et 5,3 × 10−6 K−1 le long de l'axe c[14].

Le nitrure d'aluminium est ainsi l'un des rares matériaux à avoir une bande interdite large et à gap direct d'une part (presque deux fois plus large que celles du SiC et du GaN), et une conductivité thermique élevée d'autre part[15]. Ceci provient de sa faible masse atomique, de ses liaisons interatomiques fortes et de sa structure cristalline simple[16]. C'est ce qui rend ce matériau intéressant pour les applications aux réseaux de télécommunications haut débit à forte puissance, permettant notamment une meilleure dissipation thermique que le nitrure de gallium dans les équipements électroniques de puissance et radiofréquence.

  1. a b c et d Entrée « Aluminium nitride » dans la base de données de produits chimiques GESTIS de la IFA (organisme allemand responsable de la sécurité et de la santé au travail) (allemand, anglais), accès le 12 janvier 2023 (JavaScript nécessaire)
  2. Masse molaire calculée d’après « Atomic weights of the elements 2007 », sur www.chem.qmul.ac.uk.
  3. a et b (en) Martin Feneberg, Robert A. R. Leute, Benjamin Neuschl, Klaus Thonke et Matthias Bickermann, « High-excitation and high-resolution photoluminescence spectra of bulk AlN », Physical Review B, vol. 82, no 7,‎ , article no 075208 (DOI 10.1103/PhysRevB.82.075208, Bibcode 2010PhRvB..82g5208F, lire en ligne).
  4. a et b (en) « AlN », sur materialsproject.org (DOI 10.17188/1268470, consulté le ).
  5. (en) Bodie Eugene Douglas et Shih-Ming Ho, Structure and Chemistry of Crystalline Solids, Pittsburgh, Springer Science + Business Media, Inc, , 346 p. (ISBN 978-0-387-26147-8, LCCN 2005927929).
  6. (en) Pradeep Bajracharya, « Aluminium Nitride:an overview of the physical properties », sur phys.lsu.edu, Université d'État de Louisiane, (consulté le ).
  7. (en) Zhe Cheng, Yee Rui Koh, Abdullah Mamun, Jingjing Shi, Tingyu Bai, Kenny Huynh, Luke Yates, Zeyu Liu, Ruiyang Li, Eungkyu Lee, Michael E. Liao, Yekan Wang, Hsuan Ming Yu, Maki Kushimoto, Tengfei Luo, Mark S. Goorsky, Patrick E. Hopkins, Hiroshi Amano, Asif Khan et Samuel Graham, « Experimental observation of high intrinsic thermal conductivity of AlN », Physical Review Materials, vol. 4, no 4,‎ , article no 044602 (DOI 10.1103/PhysRevMaterials.4.044602, Bibcode 2020PhRvM...4d4602C, arXiv 1911.01595, S2CID 207780348, lire en ligne).
  8. (en) A. AlShaikhi et G. P. Srivastava, « Thermal conductivity of single crystal and ceramic AlN », Journal of Applied Physics, vol. 103, no 8,‎ , article no 083554-083554-6 (DOI 10.1063/1.2908082, Bibcode 2008JAP...103h3554A, lire en ligne).
  9. (en) P. K. Kuo, G. W. Auner et Z. L. Wu, « Microstructure and thermal conductivity of epitaxial AlN thin films », Thin Solid Films, vol. 253, nos 1-2,‎ , p. 223-227 (DOI 10.1016/0040-6090(94)90324-7, Bibcode 1994TSF...253..223K, lire en ligne).
  10. (en) Wu Li et Natalio Mingo, « Thermal conductivity of bulk and nanowire InAs, AlN, and BeO polymorphs from first principles », Journal of Applied Physics, vol. 114, no 18,‎ , article no 183505-183505-4 (DOI 10.1063/1.4827419, Bibcode 2013JAP...114r3505L, lire en ligne).
  11. (en) Marc-Alexandre Dubois et Paul Muralt, « Properties of aluminum nitride thin films for piezoelectric transducers and microwave filter applications », Applied Physics Letters, vol. 74, no 20,‎ , article no 3032 (DOI 10.1063/1.124055, Bibcode 1999ApPhL..74.3032D, lire en ligne).
  12. (en) G. Bu, D. Ciplys et M. Shur, « Electromechanical coupling coefficient for surface acoustic waves in single-crystal bulk aluminum nitride », Applied Physics Letters, vol. 84, no 23,‎ , article no 4611 (DOI 10.1063/1.1755843, Bibcode 2004ApPhL..84.4611B, lire en ligne).
  13. Jean-Christophe Moreno, « Étude de la croissance et des propriétés de films minces d’AlN épitaxiés par jets moléculaires sur substrat silicium : application aux résonateurs acoustiques et perspectives d’hétérostructures intégrées sur silicium » [PDF], sur theses.hal.science, CCSD, CNRS, (consulté le ).
  14. (en) Glen A. Slack et S. F. Bartram, « Thermal expansion of some diamondlike crystals », Journal of Applied Physics, vol. 46, no 1,‎ , p. 89-98 (DOI 10.1063/1.321373, Bibcode 1975JAP....46...89S, lire en ligne).
  15. (en) Austin Lee Hickman, Reet Chaudhuri, Samuel James Bader, Kazuki Nomoto, Lei Li, James C. M. Hwang, Huili Grace Xing et Debdeep Jena, « Next generation electronics on the ultrawide-bandgap aluminum nitride platform », Semiconductor Science and Technology, vol. 36, no 4,‎ , article no 044001 (DOI 10.1088/1361-6641/abe5fd, Bibcode 2021SeScT..36d4001H, S2CID 233936255, lire en ligne Accès libre).
  16. (en) Runjie Lily Xu, Miguel Muñoz Rojo, S. M. Islam, Aditya Sood, Bozo Vareskic, Ankita Katre, Natalio Mingo, Kenneth E. Goodson, Huili Grace Xing, Debdeep Jena Eric Pop, « Thermal conductivity of crystalline AlN and the influence of atomic-scale defects », Journal of Applied Physics, vol. 126, no 18,‎ , article no 185105 (DOI 10.1063/1.5097172, Bibcode 2019JAP...126r5105X, arXiv 1904.00345, S2CID 90262793, lire en ligne).

From Wikipedia, the free encyclopedia · View on Wikipedia

Developed by Tubidy