Back ليو إساكي Arabic ليو اساكى ARZ لئو ایساکی AZB Леа Эсакі Byelorussian Лео Есаки Bulgarian লিও এসাকি Bengali/Bangla Leo Esaki Catalan Leo Esaki Czech Leo Esaki Danish Leo Esaki German
| Leo Esaki | |
 | |
| Rođenje | 12. ožujka 1925. Osaka, Japan |
|---|---|
| Državljanstvo | Japanac |
| Polje | Fizika |
| Institucija | IBM za Japan Sony Sveučilište u Tsukubi |
| Alma mater | Sveučilište u Tokiju |
| Poznat po | Tuneliranje Tunelska ili Esakijeva dioda |
| Istaknute nagrade | Nobelova nagrada za fiziku (1973.) |
| Portal o životopisima | |
Leo Esaki, izvorno Reiona Esaki (Osaka, 12. ožujka 1925.), japanski fizičar. Od 1960. do 1976. radio u SAD-u, potom bio član ravnateljstva IBM-a za Japan, od 1992. predsjednik Sveučilišta u Tsukubi (Japan). Istraživao svojstva poluvodiča i pojavu supravodljivosti. Na temelju kvantnoga tunelskog učinka, kojim elektroni prolaze kroz energijsku barijeru, konstruirao 1957. poluvodičku diodu posebnih svojstava, nazvanu tunelskom ili Esakijevom diodom, koja je bila prvi aktivni poluvodički element u mikrovalnoj tehnici. Za istraživanje tunelskog učinka u poluvodičima i supravodičima podijelio s I. Giaeverom i B. Josephsonom Nobelovu nagradu za fiziku 1973.[1]