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| Fosfuro di indio | |
|---|---|
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| Nomi alternativi | |
| fosfuro di indio(III) | |
| Caratteristiche generali | |
| Formula bruta o molecolare | InP |
| Massa molecolare (u) | 145,792 |
| Aspetto | cristalli neri |
| Numero CAS | |
| Numero EINECS | 244-959-5 |
| PubChem | 31170 |
| SMILES | [In+3].[P-3] |
| Proprietà chimico-fisiche | |
| Densità (g/cm3, in c.s.) | 4810 |
| Temperatura di fusione | 1062 °C |
| Proprietà termochimiche | |
| ΔfH0 (kJ·mol−1) | −88,7 J/K · mol |
| C0p,m(J·K−1mol−1) | 45.4 J/(mol·K)[1] |
| Indicazioni di sicurezza | |
| Simboli di rischio chimico | |
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| Frasi R | 40 |
Il fosfuro di indio è un materiale semiconduttore binario composto da indio e fosforo con formula chimica InP. Ha una struttura cristallina cubica a facce centrate, dello stesso tipo della sfalerite (o blenda di zinco, ZnS), come pure l'arseniuro di gallio (GaAs) e la maggior parte dei semiconduttori di tipo III-V. Possiede una costante di reticolo a = 586,87 pm.[2]
- ^ (EN) David R. Lide, Handbook of Chemistry and Physics, 87ª ed., Boca Raton, CRC Press, 1998, pp. 5–20, ISBN 0-8493-0594-2.
- ^ (EN) ioffe.ru, http://www.ioffe.ru/SVA/NSM/Semicond/InP/basic.html. URL consultato il 18 ottobre 2021.