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| Nitruro di gallio | |
|---|---|
 | |
| Nome IUPAC | |
| nitruro di gallio | |
| Caratteristiche generali | |
| Formula bruta o molecolare | GaN |
| Massa molecolare (u) | 83.7297 |
| Aspetto | solido cristallino incolore |
| Numero CAS | |
| Numero EINECS | 247-129-0 |
| PubChem | 117559 |
| SMILES | N#[Ga] |
| Indicazioni di sicurezza | |
Il nitruro di gallio (GaN) è il composto binario covalente formato dal gallio con l'azoto.[1] Fu ottenuto per la prima volta nel 1932 dalla reazione del gallio metallico con l'ammoniaca a 1000 °C.[2][3] È un composto non molecolare avente formula minima GaN, dove sia il gallio che l'azoto sono entrambi tetracoordinati e tetraedrici. Il nitruro di gallio è un tipico semiconduttore del tipo III-V.[4] È un materiale molto duro avente la struttura della wurtzite. L'ampiezza del suo band gap lo rende utile in speciali applicazioni di optoelettronica,[5][6] anche in dispositivi di potenza o di alta frequenza, impiegato in diodi LED blu e che in particolare rende possibili i laser nel violetto (405 nm) senza dover ricorrere al raddoppiamento di frequenza che sfrutta ottiche non lineari.[7]
- ^ Egon Wiberg, Nils Wiberg e A. F. Holleman, Anorganische Chemie, 103. Auflage, De Gruyter, 2017, pp. 1403-1404, ISBN 978-3-11-026932-1, OCLC 970042787. URL consultato il 12 giugno 2024.
- ^ (EN) Majeed Ahmad, A brief history of gallium nitride (GaN) semiconductors, su EDN, 23 maggio 2023. URL consultato il 12 giugno 2024.
- ^ Weng Hoe Lam, Weng Siew Lam e Pei Fun Lee, The Studies on Gallium Nitride-Based Materials: A Bibliometric Analysis, in Materials, vol. 16, n. 1, 1º gennaio 2023, pp. 401, DOI:10.3390/ma16010401. URL consultato il 12 giugno 2024.
- ^ (EN) Fundamentals of Semiconductors, DOI:10.1007/978-3-642-00710-1. URL consultato l'11 giugno 2024.
- ^ (EN) A. Di Carlo, Tuning Optical Properties of GaN-Based Nanostructures by Charge Screening, in physica status solidi (a), vol. 183, n. 1, 2001-01, pp. 81–85, DOI:10.1002/1521-396X(200101)183:1<81::AID-PSSA81>3.0.CO;2-N. URL consultato il 12 giugno 2024.
- ^ (EN) Y. Arakawa, Progress in GaN-based quantum dots for optoelectronics applications, in IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics, vol. 8, n. 4, 2002-07, pp. 823–832, DOI:10.1109/JSTQE.2002.801675. URL consultato il 12 giugno 2024.
- ^ Meng-Mu Shih, Modeling gallium-nitride-based violet lasers for data storage of information technology, in Gallium Nitride Materials and Devices VII, vol. 8262, SPIE, 27 febbraio 2012, pp. 194–199, DOI:10.1117/12.911793. URL consultato il 12 giugno 2024.