O Complementary Metal–Oxide–Semiconductor, conhecido pela abreviatura CMOS, ou Complementary-Symmetry Metal–Oxide–Semiconductor (abreviado COS-MOS); em português metal-óxido-semicondutor complementar e metal-óxido-semicondutor de simetria complementar, é um tipo de processo de fabricação que utiliza silício para a criação de chip de circuito integrado com MOSFET (transistor de efeito de campo de metal-óxido-semicondutor) que foi criado por Frank Wanlass e Chih-Tang Sah em 1963, processo este que utiliza complementos e pares simétricos de MOSFETs do tipo p e do tipo n para funções lógicas.[1] Os chips de circuito integrado (CI), incluindo microprocessadores, microcontroladores, chips de memória (incluindo BIOS CMOS) e outros circuitos lógicos digitais, onde os estes são associados a uma bateria, pois sua memória é volátil (memória temporária), tal característica permite que se necessário o seu reset pode ser feito com facilidade, eliminando alterações via software que poderiam ser prejudiciais ao sistema e o não fazendo ligar. A tecnologia CMOS também é usada para circuitos analógicos, como sensores de imagem e transceptores altamente integrados para muitos tipos de comunicação. O CMOS é empregado em portas lógicas como inversores, portas NOR e portas NAND.